发明名称 |
应用微波光子晶体的共面波导结构 |
摘要 |
本发明公开了一种应用微波光子晶体的共面波导结构,该结构包括:用于高频传输的一电介质层(3);用于限制电磁波的一光子晶体地平面(2),该光子晶体地平面(2)由多个微波光子晶体单元结构(1)连接构成,位于该电介质层(3)之上,且与该电介质层(3)紧密结合;用于传播电磁波的一中心导体(4),该中心导体(4)是一根L型50欧姆铜导线,在导线中间位置发生90度弯折,位于该电介质层(3)之上,且与该电介质层(3)紧密结合。本发明提供的这种应用微波光子晶体的共面波导结构,有效的减少了信号的泄漏,简化了制备工艺,使其更适合于单片微波集成,并能提高实共面波导的传输系数。 |
申请公布号 |
CN101609917A |
申请公布日期 |
2009.12.23 |
申请号 |
CN200810115161.X |
申请日期 |
2008.06.18 |
申请人 |
中国科学院半导体研究所 |
发明人 |
张昀;哈森其其格;任民;鞠昱;陈伟;谢亮;祝宁华 |
分类号 |
H01P3/08(2006.01)I;H01P3/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01P3/08(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 |
代理人 |
周国城 |
主权项 |
1、一种应用微波光子晶体的共面波导结构,其特征在于,该结构包括:用于高频传输的一电介质层(3);用于限制电磁波的一光子晶体地平面(2),该光子晶体地平面(2)位于该电介质层(3)之上,且与该电介质层(3)紧密结合;以及用于传播电磁波的一中心导体(4),该中心导体(4)是一根L型50欧姆铜导线,在导线中间位置发生90度弯折,位于该电介质层(3)之上,且与该电介质层(3)紧密结合。 |
地址 |
100083北京市海淀区清华东路甲35号 |