射频功率碳化硅场效应晶体管的互连方法和器件

摘要

本发明涉及到用来互连射频功率SiC场效应晶体管的方法和器件。为了改善寄生源电感,利用了晶体管的小尺寸,其中键合焊点被置于管芯的二个侧面上,使大多数源键合引线(6)垂直于栅和漏键合引线(7,8)走线。多个键合引线可以被连接到源键合焊点,降低了源电感。由于正交引线安排造成源/栅之间和源/漏之间互感降低,故这种安排还带来额外的优点。

主权项

1.一种用焊点上的键合引线来互连包含管芯的射频功率SiC场效应晶体管的方法，其特征是将至少一个键合焊点置于管芯的不同的侧面上，使大多数源键合引线被基本上垂直于栅和漏键合引线安置。