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<P>L'INVENTION CONCERNE UN CREUSET POUR LA CROISSANCE DE COUCHES EPITAXIALES, DE COMPOSES CHIMIQUES FORMES DE PLUSIEURS ELEMENTS CHIMIQUES, DONT UN AU MOINS EST VOLATIL, PAR LA METHODE D'EPITAXIE EN PHASE LIQUIDE, COMPRENANT UNE EMBASE ALLONGEE SUR LAQUELLE UNE PARTIE MOBILE GLISSE LONGITUDINALEMENT, L'EMBASE COMPRENANT AU MOINS UN LOGEMENT POUR Y PLACER UN SUBSTRAT SUR LEQUEL SE DEPOSE AU MOINS UNE COUCHE EPITAXIALE, LA PARTIE MOBILE COMPRENANT AU MOINS UNE CAVITE RECEVANT UNE SOURCE MERE FORMEE DE MATERIAUX INITIAUX D'EPITAXIE, LA CAVITE PRESENTANT, SUR LA FACE QUI JOUXTE L'EMBASE, UNE OUVERTURE INFERIEURE DONT LES DIMENSIONS SONT EN RAPPORT AVEC LES DIMENSIONS DES SUBSTRATS QUI Y SONT PRESENTES, ET AU MOINS UN RECEPTACLE RENFERMANT UNE SOURCE POUR CHAQUE ELEMENT VOLATIL DU COMPOSE CHIMIQUE. IL EST REMARQUABLE EN CE QUE UNE AU MOINS DES CAVITES DE LA PARTIE MOBILE, POUR LAQUELLE UN SUBSTRAT EST PRESENT DEVANT L'OUVERTURE INFERIEURE, PRESENTE AU MOINS UNE OUVERTURE SUPERIEURE FORMEE UNIQUEMENT PAR UN CONDUIT CALIBRE, RELIE CHACUN AU RECEPTABLE QUI RENFERME UNE SOURCE DE CHAQUE ELEMENT VOLATIL, CHAQUECONDUIT CALIBRE CONTROLANT L'APPORT DUDIT ELEMENT A LA SOURCE MERE PAR LA SURFACE DE LA SOURCE MERE QUI N'EST PAS EN CONTACT AVEC LA COUCHE EPITAXIALE. LE CONDUIT CALIBRE MAINTIENT UNE COMPOSITION SENSIBLEMENT CONSTANTE A LA SOURCE MERE.</P><P>L'INVENTION TROUVE SON APPLICATION DANS LA CROISSANCE DE COUCHES EPITAXIALES SEMICONDUCTRICES DE COMPOSES SEMICONDUCTEURS NOTAMMENT DE HG CD TE.</P><P>APPLICATION : CROISSANCE DE COUCHES EPITAXIALES.</P>
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