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发明名称
VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON CMOS-TRANSISTOREN AUF EINEM SILIZIUMSUBSTRAT
摘要
申请公布号
DE3324332(A1)
申请公布日期
1984.01.12
申请号
DE19833324332
申请日期
1983.07.06
申请人
INTEL CORP.
发明人
A. MATTHEWS,JAMES
分类号
H01L27/08;H01L21/266;H01L21/8238;H01L29/78;(IPC1-7):H01L21/72
主分类号
H01L27/08
代理机构
代理人
主权项
地址
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