| 发明名称 |
IMPROVED POSITIVE-WORKING RESIST MATERIALS AND THEIR USE IN A FORMATION OF A NEGATIVE RESIST PATTERN ON A SUBSTRATE |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
EP0024916(A3) |
申请公布日期 |
1981.06.10 |
| 申请号 |
EP19800302953 |
申请日期 |
1980.08.27 |
| 申请人 |
FUJITSU LIMITED |
发明人 |
CHONAN, TSUNEHIRO;MORISHIGE, AKIRA |
| 分类号 |
G03F7/038;G03F7/004;G03F7/105;G03F7/20;H01L21/027;(IPC1-7):G03F7/26;H01L21/31;H01L21/47 |
主分类号 |
G03F7/038 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
