| 发明名称 | 制造半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在导电层上形成蚀刻停止图案，所述蚀刻停止图案具有暴露所述导电层顶表面的第一开口；在所述蚀刻停止图案上形成绝缘层；选择性地蚀刻所述绝缘层以形成暴露导电层顶表面的第二开口；和增大第二开口直至暴露蚀刻停止图案。 | ||
| 申请公布号 | CN101587860A | 申请公布日期 | 2009.11.25 |
| 申请号 | CN200910007223.X | 申请日期 | 2009.02.13 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 宋翰相;朴钟范;朴钟国 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I;H01L21/3205(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 刘继富;顾晋伟 |
| 主权项 | 1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在导电层上形成蚀刻停止图案，所述蚀刻停止图案具有暴露出所述导电层顶表面的第一开口；在所述蚀刻停止图案上形成绝缘层；选择性地蚀刻所述绝缘层以形成暴露出所述导电层顶表面的第二开口；和增大所述第二开口直至暴露出所述蚀刻停止图案。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道利川市 | ||