| 发明名称 | 半导体结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构包括：一晶体管，形成于一衬底上且包括一晶体管栅极与至少一源极/漏极区域；一预定区域，连接该源极/漏极区域；以及一光致抗蚀剂保护氧化物层，形成于该预定区域上方，其中该光致抗蚀剂保护氧化物层所含氮的原子百分比为0.35或更小。 | ||
| 申请公布号 | CN101162725A | 申请公布日期 | 2008.04.16 |
| 申请号 | CN200710180918.9 | 申请日期 | 2007.10.09 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 梁耀祥;郑文功;范振朋;陈明贤;陈盈彰;杨荣成;何文郁;李肇耿 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01);H01L21/82(2006.01);H01L21/027(2006.01);H01L21/033(2006.01);H01L21/31(2006.01);H01L21/312(2006.01);H01L21/316(2006.01);G03F7/004(2006.01) | 主分类号 | H01L27/146(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 陈晨 |
| 主权项 | 1.一种半导体结构，包括：一晶体管，形成于一衬底上且包括一晶体管栅极与至少一导电区域；一预定区域，连接该导电区域；以及一光致抗蚀剂保护氧化物层，形成于该预定区域上方，其中该光致抗蚀剂保护氧化物层所含氮的原子百分比为0.35或更小。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||