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기판 처리 방법은, 기판 상에 레지스트막에 의해 원 형상의 패턴을 복수 형성하고, 그 후 제1 블록 공중합체를 도포하고, 계속해서 제1 블록 공중합체를 친수성 폴리머와 소수성 폴리머로 상분리시킨 후, 친수성 폴리머를 선택적으로 제거하고, 계속해서 기판 상으로부터 레지스트막을 선택적으로 제거하고, 그 후 제2 블록 공중합체를 당해 기판에 도포하고, 계속해서 제2 블록 공중합체를 친수성 폴리머와 소수성 폴리머로 상분리시킨 후, 상분리한 제2 블록 공중합체로부터 친수성 폴리머를 선택적으로 제거한다. 제1 블록 공중합체 및 제2 블록 공중합체에 있어서의 친수성 폴리머의 분자량의 비율은 20％∼40％이다. |
