发明名称 一种基于带电粒子辐照产生级联及点缺陷的方法
摘要 一种基于带电粒子辐照产生级联及点缺陷的方法,涉及空间环境效应领域,为了满足对位移损伤效应的研究需求。该方法为:选取带电粒子;计算带电粒子所产生的单位时间位移损伤吸收剂量D;根据<img file="DDA0001134050620000011.GIF" wi="322" he="63" />计算D'(E),D'(E)为一个能量为E的带电粒子所产生的位移损伤吸收剂量,<img file="DDA0001134050620000012.GIF" wi="37" he="45" />为注量率;选取D'(E)大于位移缺陷产生阈值的有效带电粒子;在有效带电粒子中选取D小于点缺陷阈值的带电粒子作为辐照源,用于产生点缺陷;在有效带电粒子中选取D大于级联缺陷阈值的带电粒子作为辐照源,用于产生点缺陷和级联缺陷。本发明适用于产生级联及点缺陷。
申请公布号 CN106483061A 申请公布日期 2017.03.08
申请号 CN201610911410.0 申请日期 2016.10.19
申请人 哈尔滨工业大学 发明人 李兴冀;杨剑群;刘超铭;马国亮
分类号 G01N17/00(2006.01)I 主分类号 G01N17/00(2006.01)I
代理机构 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 代理人 岳泉清
主权项 一种基于带电粒子辐照产生级联及点缺陷的方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:选取带电粒子;计算带电粒子所产生的单位时间位移损伤吸收剂量D;根据<img file="FDA0001134050590000011.GIF" wi="323" he="62" />计算D'(E),D'(E)为一个能量为E的带电粒子所产生的位移损伤吸收剂量,<img file="FDA0001134050590000012.GIF" wi="36" he="45" />为注量率;选取D'(E)大于位移缺陷产生阈值的有效带电粒子;在有效带电粒子中选取D小于点缺陷阈值的带电粒子作为辐照源,用于产生点缺陷;在有效带电粒子中选取D大于级联缺陷阈值的带电粒子作为辐照源,用于产生点缺陷和级联缺陷。
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