Einstellung von Transistoreigenschaften auf der Grundlage einer späten Wannenimplantation

摘要

Verfahren mit: Bilden einer Gateelektrodenstruktur (160) eines Transistors (150) auf einem Halbleitergebiet (103a), wobei die Gateelektrodenstruktur (160) ein Platzhalterelektrodenmaterial (163) aufweist, welches in Form von Polysilizium, einer Silizium-Germanium-Mischung oder amorphem Silizium vorliegt; Bilden von Drain- und Sourcegebieten (151) in dem Halbleitergebiet (103a); Entfernen eines Teils des Platzhalterelektrodenmaterials (163), so dass eine Gateöffnung (164) in der Gateelektrodenstruktur (160) gebildet wird, wobei ein Rest des Platzhalterelektrodenmaterials (163r) in der Gateelektrodenstruktur (160) derart bewahrt wird, dass er darunter liegende Materialien der Gateelektrodenstruktur (160) bedeckt; Einführen einer Dotierstoffsorte (105) in das Halbleitergebiet (103a) durch die Gateöffnung (164) hindurch; Ausführen eines Ausheizprozesses (106) nach dem Einführen der Dotierstoffsorte (105), wobei der Rest des Platzhalterelektrodenmaterials (163r) zu einer höheren Integrität der darunter liegende Materialien der Gateelektrodenstruktur (160) führt; und Bilden eines Elektrodenmetalls (165, 166) in der Gateöffnung (164).