发明名称 一种真空碳热还原三氧化二砷制备粗砷的方法
摘要 本发明涉及一种真空碳热还原三氧化二砷制备粗砷的方法,其制备工艺为:以木炭或焦炭为还原剂,在10~200Pa的环境压力中,以10~20℃/min的速度将还原剂加热至500~900℃,而后将三氧化二砷加热至300~500℃,使其挥发自下而上的通过还原剂层、被还原,得到砷蒸气,砷蒸气进入冷凝器在50~200℃条件下凝结为固体粗砷。该工艺流程简单,还原温度低,便于操作,还原率高,整个反应过程在真空中进行,对环境无污染。
申请公布号 CN102321813A 申请公布日期 2012.01.18
申请号 CN201110299423.4 申请日期 2011.09.30
申请人 昆明理工大学;云南锡业集团有限责任公司研究设计院 发明人 杨斌;王炜;徐宝强;杨成林;刘大春;戴永年;邓勇;熊恒;刘新阳;秦博;郁青春;曲涛;马文会;姚耀春
分类号 C22B30/04(2006.01)I 主分类号 C22B30/04(2006.01)I
代理机构 昆明今威专利商标代理有限公司 53115 代理人 赛晓刚
主权项 一种真空碳热还原三氧化二砷制备粗砷的方法,其特征在于含有以下步骤:(1)将木炭或焦炭放入真空炉还原剂料层,将纯度为80%以上的三氧化二砷放入还原剂料层下部的挥发坩埚中;(2)将真空炉抽真空至10~200Pa后,以10~20℃/min的速度将碳层加热至500~900℃;(3)再将三氧化二砷加热至300~500℃,使其挥发自下而上的通过还原剂层、被还原,保温2~6h,得到砷蒸气;(4)砷蒸气进入冷凝器在50~200℃条件下凝结为固体粗砷,其纯度达到95%以上。
地址 650093 云南省昆明市五华区学府路253号(昆明理工大学)