发明名称 半导体器件及其控制方法
摘要 本发明涉及一种半导体器件及其控制方法,该半导体具备:第一电流电压转换电路(16),连接于非易失性存储器单元阵列(10)内设置的核心单元(12);第二电流电压转换电路(26),通过参考单元数据线(24)连接参考单元(22);感测放大器(18),感测第一电流电压转换电路的输出与第二电流电压转换电路的输出;比较电路(28),比较参考单元数据线的电压值与既定电压值;以及充电电路(30),在参考单元数据线的预充电时,当参考单元数据线的电压值比既定电压值还低时,对参考单元数据线进行充电。依据本发明,能够缩短参考单元数据线的预充电时间,而能够缩短数据读取时间。
申请公布号 CN101208754B 申请公布日期 2011.02.02
申请号 CN200580050283.X 申请日期 2005.06.28
申请人 斯班逊有限公司;斯班逊日本有限公司 发明人 小川晓;矢野胜
分类号 G11C16/28(2006.01)I 主分类号 G11C16/28(2006.01)I
代理机构 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 代理人 程伟
主权项 一种半导体器件,其特征在于,包括:第一电流电压转换电路,连接于非易失性存储器单元阵列内设置的核心单元;第二电流电压转换电路,以参考单元数据线连接参考单元;感测放大器,感测所述第一电流电压转换电路的输出与所述第二电流电压转换电路的输出;比较电路,比较所述参考单元数据线的电压值与既定电压值;以及充电电路,在所述参考单元数据线的预充电时,当所述参考单元数据线的电压值比所述既定电压值还低时,对所述参考单元数据线进行充电。
地址 美国加利福尼亚州