半导体记忆装置

摘要

在以纵型电晶体SGT所构成的CMOS型6T-SRAM中，实现小的SRAM单元面积与隐定的动作裕度。在使用6个MOS电晶体所构成的静态型记忆体单元中，构成前述记忆体单元之MOS电晶体是形成于在埋入氧化膜上形成的平面状矽层上，具有汲极、闸极、以及源极配置于垂直方向，且闸极包围柱状半导体层之构造，前述平面状矽层是由具有第一导电型之第一主动区域与具有第二导电型之第二主动区域所构成，藉由此等主动区域透过形成于平面状矽层表面的矽化物层相互连接，实现更小的面积之SRAM单元。