| 主权项 |
1.一种用于选择性地移除半导体基材上之光阻及/或蚀刻后残留物的电浆灰化方法,该电浆灰化方法包含:将一晶圆置入一处理室,其中该晶圆包含一表面,该表面之上具有该光阻及/或蚀刻后残留物;在一电浆产生区中产生一降低之离子密度的电浆,且压力至少比该处理室之压力高2托耳;以及将其上有该光阻及/或蚀刻后残留物的晶圆基材暴露在该降低之离子密度电浆中,藉以选择性地从表面上移除该光阻及/或蚀刻后残留物,并使该表面实质上保持如同暴露在该降低离子密度电浆之前一样。2.如申请专利范围第1项之电浆灰化方法,其中该电浆产生区内之压力范围系从大于2托耳至约大气压力。3.如申请专利范围第1项之电浆灰化方法,其中该表面包含一低介电常数介电材料,其中暴露在该降低离子密度电浆之后,该低介电常数介电材料实质上如同将该基材暴露在该降低离予密度电浆之前一样。4.如申请专利范围第3项之电浆灰化方法,其中该低介电常数介电材料之介电常数小于3.0。5.如申请专利范围第1项之电浆灰化方法,其中该电浆产生区包含一气体入口、一耦合于该气体入口之电浆管、一排出开口,以及一能量源,该能量源系用于激发该电浆管内之一气体混合物以形成该电浆。6.如申请专利范围第1项之电浆灰化方法,其中产生该降低离子密度电浆之步骤包含将一可激发气体混合物暴露在一微波能量源中。7.如申请专利范围第1项之电浆灰化方法,其中产生该降低离子密度电浆之步骤包含将一可激发气体混合物暴露在一射频能量源中。8.一种用于降低下游式电浆灰化器内离子密度之方法,该方法包含:在一预设压力下,将一气体混合物导入一电浆产生区;以及将该气体混合物暴露在一能量源,使其足以在该预设压力下,能于该电浆产生区形成一电浆,其中该预设压力系被选定用以降低该电浆内的离子密度。9.如申请专利范围第8项之方法,其另包含:将该降低离子密度电浆送入一处理室,其中该预设压力系被选定用以在该电浆产生区与该处理室之间建立2托耳以上的压力差,且该电浆产生区内的压力较大。10.如申请专利范围第8项之方法,其另包含:将其上具有一光阻及/或蚀刻后残留物的表面暴露在该电浆中,藉以选择性地从该表面上移除该光阻及/或蚀刻后残留物,其中该表面包含一低介电常数介电材料,且该表面实质上如同暴露在该降低离子密度电浆之前一样。11.如申请专利范围第8项之方法,其中该电浆产生区内的预设压力范围系从大于2托耳至大气压力。12.一种下游式电浆灰化器,其包含:一处理室;一电浆产生区,该电浆产生区包含一气体入口、一耦合于该气体入口之电浆管,以及一排出孔;一导管,其连通于该处理室及该电浆产生区之排出孔,用于将形成于该电浆产生区内的电浆送入该处理室;以及一孔口,其配置在该导管内,其中该孔口使该导管之开口变窄,藉以在该电浆管与该处理室之间建立2托耳以上的压力差,其中该电浆管内的压力较大。13.如申请专利范围第12项之电浆灰化器,其另包含一微波能量源,该微波能量源连通于该电浆产生区,用于激发一气体混合物以形成一降低离子密度电浆。14.如申请专利范围第12项之电浆灰化器,其另包含一射频能量源,该射频能量源连通于该电浆产生区,用于激发一气体混合物以形成一降低离子密度电浆。15.如申请专利范围第12项之电浆灰化器,其中该孔口包含一可调孔径,用于调整该电浆产生区内的压力。图式简单说明:图1为微波下游式电浆灰化器之剖面图。图2为装设在电浆产生区与处理室之间通道内的孔口之截面图。图3系描绘晶圆表面上的相对离子密度,其中相对离子密度为孔口直径之函数,运用的是O2/(H2/N2)/CF4电浆。图4系描绘不同压力条件下的光放射强度,其中光放射强度为波长之函数。图5系描绘吸光率在不同操作条件下的傅立叶转换红外线分析(FTIR),其中吸光率为波长之函数。 |
