| 摘要 |
De uitvinding betreft een niet-vluchtig geheugen met zwevende poort, in het bijzonder een flash EPROM, waarin het schrijven plaats vindt door injectie van hete elektronen op de zwevende poort en waarin het wissen plaats vindt door injectie van hete gaten. Om de schrijf- en wisspaningen voldoende laag te houden, zijn rond de n-type aan- en afvoerzones p-type zones aangebracht die plaatselijk de achtergrond doopconcentratie van het p-type substraat verhogen. Deze zones veroorzaken een veldverhoging bij de afvoerzone waardoor ook bij lagere spanningen bij het afknijppunt hete elektronen worden gevormd. Bovendien verlaagt deze verhoogde achtergrond concentratie de doorslagspanning van de pn-overgang van de aan- en afvoerzone waardoor al bij relatief lage spanning hete gaten voor het wissen kunnen worden gevormd door pn-doorslag. De inrichting is in het bijzonder geschikt voor integratie in een met een standaard proces vervaardigd signaalverwerkings i.c., zoals een microcontroller.
|
