| 摘要 |
<p>Es wird ein monolithisch integriertes Bauelement und ein Verfahren zu seiner Herstellung vorgeschlagen, das eine in eine Halbleiterschicht eingebettete P<+>-Struktur aufweist, die teilweise von einer N<+>-Struktur überlappt wird und mit einer Oxidschicht überzogen ist, und bei dem eine Langzeitstabilisierung der Durchbruchspannung bei Zenerdioden mit Durchbruch an der Oberfläche gewährleistet ist. Dazu ist vorgesehen, daß die Oxidschicht (20) in einem Bereich (35) abgetragen ist und dort eine Oxidschicht (36) angeordnet ist, die Fenster (22, 24) aufweist, die den Bereich der P<+>-Struktur (14) und den Bereich der N<+>-Struktur (16) definieren und im Überlappungsbereich (32) oberhalb des PN-Überganges (18) ein Polysiliciumsteg (30) angeordnet ist. <IMAGE></p> |
