| 发明名称 | 一种准确和定量的缺陷检测确认光刻工艺窗口的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种准确和定量的缺陷检测确认光刻工艺窗口的方法，包括如下步骤：提供一用于确认光刻工艺窗口的晶圆；设定所述晶圆中的基准芯片；将所述晶圆中的非基准芯片按照光刻能量与焦距的矩阵分布排列；先后对所述基准芯片、所述非基准芯片进行曝光；先后对所述曝光后的基准芯片、所述曝光后的非基准芯片进行缺陷检测；将所述曝光后的基准芯片的缺陷检测结果与所述曝光后的非基准芯片的缺陷检测结果进行比对，以得到确认的光刻工艺窗口；其中，所述基准芯片为确定基准光刻工艺条件的芯片。本发明可以对光刻工艺进行准确的定量分析，得到的光刻工艺窗口确认数据，具有非常好的精确性和容易理解的高可读性。 | ||
| 申请公布号 | CN103345124A | 申请公布日期 | 2013.10.09 |
| 申请号 | CN201310264809.0 | 申请日期 | 2013.06.27 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 倪棋梁;陈宏璘;龙吟 |
| 分类号 | G03F7/20(2006.01)I;G06F17/50(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | G03F7/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人 | 竺路玲 |
| 主权项 | 一种准确和定量的缺陷检测确认光刻工艺窗口的方法，应用于确认晶圆上的集成电路图形的光刻工艺窗口中，其特征在于，包括如下步骤：提供一用于确认光刻工艺窗口的晶圆；设定所述晶圆中的基准芯片；将所述晶圆中的非基准芯片按照光刻能量与焦距的矩阵分布排列；先后对所述基准芯片、所述非基准芯片进行曝光；先后对所述曝光后的基准芯片、所述曝光后的非基准芯片进行缺陷检测，以得到所述曝光后的基准芯片、所述曝光后的非基准芯片的缺陷检测结果；将所述曝光后的基准芯片的缺陷检测结果与所述曝光后的非基准芯片的缺陷检测结果进行比对，以得到确认的光刻工艺窗口；其中，所述基准芯片为确定基准光刻工艺条件的芯片。 | ||
| 地址 | 201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号 | ||