| 发明名称 | 低能量多沟道全耗尽量子井互补式金氧半导体场效晶体管 | ||
| 摘要 | 一种多沟道半导体装置具有已完全或部分耗尽的量子井，并且对于超大型积体装置内，像是互补式金氧半晶体管(CMOSFET)，是特别有用的。例如，多沟道区域(15)设置在衬底(12)上，并具有形成于最上端沟道区域(15)上的栅极电极(16)，其间是藉由栅极氧化层(14c)来分隔。此多沟道(15)的垂直堆叠和栅极电极(16)允许在半导体装置内增加驱动电流，而不需增加由该装置所占据的硅区域。 | ||
| 申请公布号 | CN1879224A | 申请公布日期 | 2006.12.13 |
| 申请号 | CN200480033329.2 | 申请日期 | 2004.10.08 |
| 申请人 | 先进微装置公司 | 发明人 | J·N·帕恩;J·G·佩尔兰;J·D·奇克 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01) | 主分类号 | H01L29/786(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 戈泊;程伟 |
| 主权项 | 1.一种多沟道半导体装置，包括：于衬底(12)上的第一绝缘层(14a)；于该第一绝缘层(14a)上的第一沟道区域(15)；于该第一沟道区域(15)上的第二绝缘层(14a)；于该第二绝缘层(14b)上的第二沟道区域(15)；于该第二沟道区域(15)上的第三绝缘层(14c)；以及于该第三绝缘层(14c)上的栅极电极(16)。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||