| 主权项 |
一种半导体装置，包含：于基板上的第一导电层；于该第一导电层上的第一绝缘层；于该第一绝缘层上的氧化物半导体层；于该氧化物半导体层上的第二绝缘层；于该第二绝缘层上的第二导电层和第三导电层；于该第二导电层和该第三导电层上的第三绝缘层；于该第三绝缘层上的第四导电层；以及于该第四导电层上的第四绝缘层，其中，该第一导电层包含可用作电晶体的第一闸极电极的区，其中，该第一绝缘层包含可用作该电晶体的第一闸极绝缘层的区，其中，该第二绝缘层包含可用作通道保护层的区；其中，该第二导电层包含可用作该电晶体的源极电极和汲极电极之一者的区，其中，该第三导电层包含可用作该电晶体的该源极电极和该汲极电极之另一者的区，其中，该第三导电层电连接至像素电极，其中，该第三绝缘层包含可用作该电晶体的第二闸极绝缘层的区，其中，该第四导电层包含可用作该电晶体的第二闸极电极的区，
|
